Plasma-etching

Processo dì eliminazione di un sottile strato di superficie (in genere 0,5 um di silicio) sui bordi della cella già sottoposta a processo di diffusione. Il plasma-etching avviene in speciali forni a radiofrequenza e permette di separare elettricamente le due facce della cella.

Altri termini: NOCT (°C) ( Ingl. Nominal Operating Cell Temperature - Temperatura nominale operativa della cella) , Ribbon