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Diffusione
Processo mediante il quale la cella di silicio viene sottoposta al drogaggio con ioni di fosforo per permettere di costituire sulla sua superficie uno strato superficiale di tipo -n, necessario per ottenere la giunzione p-n, nucleo fondamentale del funzionamento della cella fotovoltaica. II processo di diffusione avviene in forni speciali, a temperature non inferiori agli 870° C e per tempi di circa 15-20 minuti.
Altri termini: Czochralski ( Processo ) , Diseleniuro di indio e rame (CullnSe2)